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FDP045N10A_F102

Fairchild Semiconductor MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
  • 参考价格：￥13.18-￥28.98

更新日期：2024-04-01

FDP045N10A_F102

Fairchild Semiconductor MOSFET

产品简介：MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
  • 参考价格：￥13.18-￥28.98

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FDP045N10A_F102 中文资料属性参数

  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：100 V
  • 闸/源击穿电压：20 V
  • 漏极连续电流：120 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.8 mOhms
  • 配置：Single
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220
  • 封装：Tube
  • 下降时间：15 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：132 S
  • 栅极电荷 Qg：57 nC
  • 功率耗散：263 W
  • 上升时间：26 ns
  • 工厂包装数量：400

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