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FDMS7606

Fairchild Semiconductor MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
  • 参考价格：￥10.56-￥9.38

更新日期：2024-04-01 00:04:00

FDMS7606

Fairchild Semiconductor MOSFET

产品简介：MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
  • 参考价格：￥10.56-￥9.38

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FDMS7606 中文资料属性参数

  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：20 V
  • 漏极连续电流：11.5 A, 12 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：9.2 mOhms, 9.7 mOhms
  • 配置：Dual
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：Power 56
  • 封装：Reel
  • 下降时间：3 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：53 S, 47 S
  • 栅极电荷 Qg：16 nC, 19 nC
  • 功率耗散：2.2 W, 2.5 W
  • 上升时间：3 ns
  • 工厂包装数量：3000

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