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FDMC4435BZ_F126

Fairchild Semiconductor MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET -30V P-CH PwrTrench
  • 参考价格：￥1.79-￥2.21

更新日期：2024-04-01 00:04:00

FDMC4435BZ_F126

Fairchild Semiconductor MOSFET

产品简介：MOSFET -30V P-CH PwrTrench

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET -30V P-CH PwrTrench
  • 参考价格：￥1.79-￥2.21

FDMC4435BZ_F126 中文资料属性参数

  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 30 V
  • 漏极连续电流：- 8.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：20 mOhms
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：MLP 3.3 x 3.3
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：31 W

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