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FDMB2307NZ

Fairchild Semiconductor MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET
  • 参考价格：￥2.97-￥6.62

更新日期：2024-04-01

FDMB2307NZ

Fairchild Semiconductor MOSFET

产品简介：MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET
  • 参考价格：￥2.97-￥6.62

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FDMB2307NZ 中文资料属性参数

  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 配置：Dual Common Drain
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：MLP 2 x 3
  • 封装：Reel
  • 下降时间：17 ns
  • 栅极电荷 Qg：28 nC
  • 功率耗散：2.2 W
  • 上升时间：34 ns
  • 工厂包装数量：3000

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