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FDFMC2P120

Fairchild Semiconductor MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET -20V Integr P-Ch PT MOSFET-Schtky Dio

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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FDFMC2P120

Fairchild Semiconductor MOSFET

产品简介：MOSFET -20V Integr P-Ch PT MOSFET-Schtky Dio

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET -20V Integr P-Ch PT MOSFET-Schtky Dio

FDFMC2P120 中文资料属性参数

  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 12 V
  • 漏极连续电流：3.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.125 Ohms
  • 配置：Single Dual Source
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：MLP-6
  • 封装：Reel
  • 下降时间：3.2 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：2.4 W
  • 上升时间：12 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 典型关闭延迟时间：11 ns
  • 零件号别名：FDFMC2P120_NL

FDFMC2P120 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
FDFMC2P120

Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

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