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- 参考价格：￥1.55-￥1.73
更新日期：2024-04-01 00:04:00
FDC6506P_Q 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：- 30 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：- 1.8 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.170 Ohms
- 配置：Dual
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SSOT-6
- 封装：Reel
- 下降时间：8 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：0.96 W
- 上升时间：8 ns
- 典型关闭延迟时间：14 ns
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