搜索
发布采购
ECH8609-TL-E
MOSFET 晶体管更新日期：2024-04-01
ECH8609-TL-E
MOSFET 晶体管ECH8609-TL-E 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
SANYO/ELNAF
-
SOT23-8
1804+ -
4200
-
上海市
-
-
-
原装现货,精专配套,正品BOM表报价
ECH8609-TL-E 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：43（N 通道）ns，65（P 通道）ns
- 典型接通延迟时间：13（P 通道）ns，15（N 通道）ns
- 典型栅极电荷@Vgs：11 nC @ 10 V（N 沟道），14 nC @ -10 V（P 沟道）
- 典型输入电容值@Vds：510 pF @ 10 V（N 沟道），550 -10 pF @ V（P 沟道）
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：2.3mm
- 封装类型：ECH 8
- 尺寸：2.9 x 2.3 x 0.9mm
- 引脚数目：8
- 最大功率耗散：1.5 W
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：30（N 通道）V，-30（P 通道）V
- 最大漏源电阻值：120（P 通道）mΩ，75（N 通道）mΩ
- 最大连续漏极电流：-4（P 通道）A，6（N 通道）A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：2
- 类别：开关
- 通道模式：增强
- 通道类型：N，P
- 配置：双、双漏极
- 长度：2.9mm
- 高度：0.9mm
ECH8609-TL-E 相关产品
- 02CZ11-X
- 02CZ3.3-X
- 10TTS08PBF
- 10TTS08SPBF
- 110RKI120PBF
- 111RKI120PBF
- 12A01C-TB-E
- 16TTS08SPBF
- 16TTS12SPBF
- 181RKI100PBF
- 1SR154-400
- 1SS133
- 1SS181
- 1SS400
- 25RIA120S90
- 2N3055E
- 2N6849
- 2SA1370E
- 2SA1576A
- 2SA970BL
- 2SB1218A
- 2SB1227
- 2SC4616E-TL-E
- 2SC5865
- 5JLZ47A(F)
- 82400102
- BAR6405E6327
- BB640E6327
- BCV61CE6327
- BDP950E6327