- 封装:SOT-723
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.08177
更新日期:2024-04-01
产品简介:TRANS DIGITAL NPN 30V 200MA VMT3
- 封装:SOT-723
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.08177
DTD723YMT2L 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ROHM/ELNAF
-
VMT3
1901+ -
7912
-
上海市
-
-
-
原装现货,精专配套,正品BOM表报价
DTD723YMT2L 中文资料属性参数
- 标准包装:8,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V
- 电阻器 - 基极 (R1)(欧):2.2k
- 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):140 @ 100mA,2V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大):500nA
- 频率 - 转换:260MHz
- 功率 - 最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-723
- 供应商设备封装:VMT3
- 包装:带卷 (TR)
DTD723YMT2L 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
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