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DTD113ZKT146

ROHM Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.1035

更新日期：2024-04-01

DTD113ZKT146

ROHM Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

产品简介：TRAN DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.1035

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DTD113ZKT146 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：1k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：82 @ 50mA，5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
  • 频率 - 转换：200MHz
  • 功率 - 最大：200mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：3-SMT
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：DTD113ZKT146TR

DTD113ZKT146 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
DTD113ZKT146

TRANSISTOR DIGITAL SC-59 500MA NPN; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:82; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-346; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:200MHz; Hfe Min:82; Package / Case:SOT-346; Power Dissipation Pd:200mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose

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