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DSS4160U-7
晶体管(BJT) - 单路- 封装：SC-70，SOT-323
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.05-$0.08
更新日期：2024-04-01 00:04:00
DSS4160U-7
晶体管(BJT) - 单路产品简介：TRANS BIPOLAR NPN 60V SOT-323
- 封装：SC-70，SOT-323
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.05-$0.08
DSS4160U-7 供应商
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DIODES
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SOT-323
23+ -
46000
-
合肥
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-
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DSS4160U-7 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：280mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 500mA，5V
- 功率 - 最大：400mW
- 频率 - 转换：150MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SOT-323
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：DSS4160UDITR
DSS4160U-7 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 DSS4160U-7
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TRANSISTOR, NPN, SOT323, 0.4W; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:400mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:250; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:115mV; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:250; Package / Case:SOT-323; Power Dissipation Pd:400mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS) |
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DSS4160U-7
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TRANS NPN 60V 1A SOT-323 |
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