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DSS20201L-7
晶体管(BJT) - 单路- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.05-$0.08
更新日期：2024-04-01 00:04:00
DSS20201L-7
晶体管(BJT) - 单路产品简介：TRANS BIPO NPN 20V 2A SOT-23
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.05-$0.08
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DSS20201L-7 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：2A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：20V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：100mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 500mA，2V
- 功率 - 最大：600mW
- 频率 - 转换：150MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：DSS20201LDITR
DSS20201L-7 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 DSS20201L-7
|
TRANSISTOR, NPN, SOT23, 0.6W; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:330; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:10mV; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:200; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:600mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS) |
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