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DS1217M-L04
存储器 - 模块- 封装：30-卡边缘盒式模块
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
更新日期：2024-04-01 00:04:00
DS1217M-L04
存储器 - 模块产品简介：RAM READ/WRITE NV LO LEAK 4MEG
- 封装：30-卡边缘盒式模块
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DS1217M-L04 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：存储卡，模块
- 家庭：存储器 - 模块
- 系列：-
- 存储器类型：NVRAM
- 存储容量：512KB
- 速度：250ns
- 特点：-
- 封装/外壳：30-卡边缘盒式模块
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