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DMN2004TK-7

DIODES MOSFET
  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:MOSFET 20V N-CHANNEL
  • 参考价格:¥0.849-¥3.93

更新日期:2024-04-01

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DMN2004TK-7

DIODES MOSFET

产品简介:MOSFET 20V N-CHANNEL

  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:MOSFET 20V N-CHANNEL
  • 参考价格:¥0.849-¥3.93

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DMN2004TK-7 中文资料属性参数

  • 制造商:Diodes Inc.
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 8 V
  • 漏极连续电流:0.54 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):550 mOhms at 4.5 V
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOT-523-3
  • 封装:Reel
  • 下降时间:9.1 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:150 mW
  • 上升时间:9.1 ns
  • 工厂包装数量:3000
  • 典型关闭延迟时间:51 ns

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