搜索
发布采购
DKR300AB60
二极管阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DKR300AB60
二极管阵列产品简介：DIODE MODULE 600V 300A
DKR300AB60 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
日本三社
-
全新原装
23+ -
5000
-
苏州
-
-
-
仓库现货
-
日本三社
-
全新原装
23+ -
5000
-
上海市
-
-
-
仓库现货
-
日本三社
-
全新原装
23+ -
5000
-
上海市
-
-
-
仓库现货
-
日本三社
-
全新原装
23+ -
5000
-
苏州
-
-
-
仓库现货
-
SANREX
-
标准封装
24+ -
8800
-
苏州
-
-
-
原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
-
三社
-
标准封装
22+ -
5000
-
上海市
-
-
-
上海现货，实单可谈
-
三社
-
标准原装
New -
5004
-
上海市
-
-
-
全新原装
-
三社/SanRex
-
module
19+ -
888
-
苏州
-
-
-
▊原装进口▊真实库存▊一级代理▊
-
sanrex
-
标准封装
21+ -
5000
-
上海市
-
-
-
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质
-
sanrex
-
EA
21+ -
1200
-
上海市
-
-
-
厂家授权代理商.IGBT模块.可控硅模块，二极管，整流
DKR300AB60 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥398.21000托盘
- 系列：-
- 包装：托盘
- 产品状态：在售
- 二极管配置：1 对共阴极
- 技术：标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：150A（DC）
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.4 V @ 300 A
- 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：200 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：200 mA @ 600 V
- 工作温度 - 结：-40°C ~ 150°C
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：-