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DE150-501N04A
场效应管 - 射频- 参考价格：CNY 277.40-CNY 363.50
更新日期：2024-04-01 00:04:00
DE150-501N04A
场效应管 - 射频- 参考价格：CNY 277.40-CNY 363.50
DE150-501N04A 中文资料属性参数
- 晶体管类型:：RF MOSFET
- 电压, Vds 最大:：500V
- 电流, Id 连续:：4.5A
- 功耗, Pd:：200W
- 工作温度范围:：-55°C 到 +175°C
- 封装类型:：DE150
- 针脚数:：6
- 上升时间:：4ns
- 功率, Pd:：200W
- 在电阻RDS（上）:：1.5ohm
- 封装类型:：150
- 晶体管极性:：?频道
- 最大功耗:：200W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:：15V
- 电压, Vds 典型值:：500V
- 电容值, Ciss 典型值:：700pF
- 阈值电压, Vgs th 典型值:：3V
DE150-501N04A 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 DE150-501N04A
|
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching RF Power MOSFET |
3 Pages页,78K | 查看 |