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DD1200S17H4B2BOSA2
二极管阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DD1200S17H4B2BOSA2
二极管阵列产品简介：DIODE MODULE 1200V 1200A
DD1200S17H4B2BOSA2 供应商
- 公司
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- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
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Infineon
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AG-IHMB130-411
21+ -
22
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上海市
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一级代理原装
DD1200S17H4B2BOSA2 中文资料属性参数
- 现有数量：2现货
- 价格：1 : ￥10,065.13000托盘
- 系列：-
- 包装：托盘
- 产品状态：在售
- 二极管配置：2 个独立式
- 技术：标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1700 V
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：-
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.1 V @ 1200 A
- 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：1250 A @ 900 V
- 工作温度 - 结：-40°C ~ 150°C
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：AG-IHMB130-1