CYD09S18V18-200BBXC
存储器- 封装:256-LBGA
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:托盘
- 参考价格:$110.09-$139.52
更新日期:2024-04-01 00:04:00
CYD09S18V18-200BBXC
存储器产品简介:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256LFBGA
- 封装:256-LBGA
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:托盘
- 参考价格:$110.09-$139.52
CYD09S18V18-200BBXC 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Cypress
-
BGA256
21+ -
339
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
CYD09S18V18-200BBXC 中文资料属性参数
- 数据列表:CYDxxS72,36,18V18 FullFlex
- 标准包装:90
- 类别:集成电路 (IC)
- 家庭:存储器
- 系列:-
- 格式 - 存储器:RAM
- 存储器类型:SRAM - 双端口,同步
- 存储容量:9M(512K x 18)
- 速度:200MHz
- 接口:并联
- 电源电压:1.42 V ~ 1.58 V,1.7 V ~ 1.9 V
- 工作温度:0°C ~ 70°C
- 封装/外壳:256-LBGA
- 供应商设备封装:256-FBGA(17x17)
- 包装:托盘
- 其它名称:428-2034CYD09S18V18-200BBXC-ND
CYD09S18V18-200BBXC 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
CYD09S18V18-200BBXC
|
SRAM Memory IC; Memory Type:Synchronous SRAM; Memory Size:9Mbit; Memory Organization:512K x 18; Access Time, Tacc:3.3ns; Frequency:200MHz; Memory Voltage, Vcc:1.8 V; Supply Voltage Min:3V; Supply Voltage Max:3.6V |
51页,995K | 查看 |
CYD09S18V18-200BBXC 相关产品
- AT24C01BN-SH-B
- AT24C02BN-SH-T
- AT24C02C-PUM
- AT24C02C-SSHM-T
- AT24C02C-STUM-T
- AT24C02C-XHM-T
- AT24C02N-10SU-2.7
- AT24C04A-10PI-2.7
- AT24C04C-PUM
- AT24C04C-SSHM-T
- AT24C04C-XHM-B
- AT24C04C-XHM-T
- AT24C08BN-SH-T
- AT24C08C-PUM
- AT24C08C-SSHM-T
- AT24C08C-XHM-T
- AT24C128-10TI-2.7
- AT24C128B-TH-T
- AT24C128C-SSHM-T
- AT24C128C-XHM-T
- AT24C128N-10SU-1.8
- AT24C16AY6-10YH-1.8
- AT24C16C-MAHM-T
- AT24C16C-PUM
- AT24C16C-SSHM-B
- AT24C16C-SSHM-T
- AT24C16C-STUM-T
- AT24C16C-XHM-B
- AT24C16C-XHM-T
- AT24C256C-SSHL-T

搜索
发布采购
CYD09S18V18-200BBXC