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CPH6614-TL-E
MOSFET 晶体管- 参考价格：RMB1.92-RMB2.32
更新日期：2024-04-01 00:04:00
CPH6614-TL-E
MOSFET 晶体管- 参考价格：RMB1.92-RMB2.32
CPH6614-TL-E 供应商
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CPH6614-TL-E 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：12（P 通道）ns，13（N 通道）ns
- 典型接通延迟时间：12.5（P 通道）ns，6.2（N 通道）ns
- 典型栅极电荷@Vgs：3.2 nC @ 10 V（N 沟道），3.3 nC @ -10 V（P 沟道）
- 典型输入电容值@Vds：104 pF @ -10 V（P 沟道），95 pF @ 10 V（N 沟道）
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：1.6mm
- 封装类型：CPH 6
- 尺寸：2.9 x 1.6 x 0.9mm
- 引脚数目：6
- 最大功率耗散：0.8 W
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：30（N 通道）V，-30（P 通道）V
- 最大漏源电阻值：410（N 通道）mΩ，810（P 通道）mΩ
- 最大连续漏极电流：-1.2（P 通道）A，1.8（N 通道）A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：2
- 类别：通用
- 通道模式：增强
- 通道类型：N，P
- 配置：双
- 长度：2.9mm
- 高度：0.9mm
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