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CPH6424-TL-E
MOSFET 晶体管更新日期：2024-04-01 00:04:00
CPH6424-TL-E
MOSFET 晶体管CPH6424-TL-E 供应商
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CPH6424-TL-E 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：33 ns
- 典型接通延迟时间：8 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：7.8 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds：266 pF V @ 20
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：1.6mm
- 封装类型：CPH 6
- 尺寸：2.9 x 1.6 x 0.9mm
- 引脚数目：6
- 最大功率耗散：1.6 W
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：60 V
- 最大漏源电阻值：215 m
- 最大连续漏极电流：3 A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：开关
- 通道模式：增强
- 通道类型：N
- 配置：四漏极、单
- 长度：2.9mm
- 高度：0.9mm
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