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CDZT2RA6.8B
单齐纳二极管更新日期：2024-04-01 00:04:00
CDZT2RA6.8B
单齐纳二极管产品简介：DIODE ZENER 6.8V 100MW VMN2
CDZT2RA6.8B 中文资料属性参数
- 现有数量：8,000现货
- 价格：1 : ￥3.18000剪切带（CT）8,000 : ￥0.66817卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：6.8 V
- 容差：±2%
- 功率 - 最大值：100 mW
- 阻抗（最大值）(Zzt)：40 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：500 nA @ 3.5 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：-
- 工作温度：-55°C ~ 150°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOD-923
- 供应商器件封装：VMN2
CDZT2RA6.8B 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 CDZT2RA6.8B
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Zener Diode 6.8V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 |
7页,277K | 查看 |