FRAM 存储器芯片

FRAM（Ferroelectric Random-Access Memory）是一种非易失性存储器技术，它结合了传统SRAM（静态随机存取存储器）的高速读写性能和闪存的非易失性特性。与传统的非易失性存储器如EPROM、EEPROM或闪存相比，FRAM在写入操作上具有更快的速度和更高的耐用性。
功能特点：
1. 高速读写：FRAM的读写速度接近SRAM，远高于闪存，使得数据处理更加迅速。
2. 高耐用性：FRAM的写入寿命极长，可以进行数十万亿次的读写操作，而不会像闪存那样因擦写次数限制而导致性能下降。
3. 低功耗：相对于其他非易失性存储器，FRAM在读写操作时的功耗较低。
4. 非易失性：即使在断电的情况下，FRAM也能保持存储的数据。
5. 抗辐射：在某些应用中，FRAM表现出更好的辐射抗扰度。
应用场景：
1. 工业自动化：在需要频繁记录和快速访问数据的工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）。
2. 医疗设备：用于存储设备设置和患者数据，如便携式医疗监测设备。
3. 物联网（IoT）设备：在需要实时记录传感器数据且对电池寿命有要求的智能设备中。
4. 汽车电子：在汽车电子系统中用于记录故障代码和其他关键信息。
5. 军事和航空航天：在需要高可靠性和抗辐射能力的应用中。
包含种类：
FRAM芯片通常按其容量、封装形式和接口类型来分类。例如：
- 不同容量的FRAM，从几十KB到几MB不等。
- 封装形式包括SOIC（小外形集成电路）、QFN（四方扁平无引脚封装）、TSSOP（薄型小外形封装）等。
- 接口类型可能包括SPI（串行外围接口）、I2C（集成电路间通信）、Parallel（并行接口）等。
常见的FRAM制造商包括Texas Instruments（德州仪器）、Ramtron（已被Microchip Technology收购）等。