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硅电容器
更新时间： 2024-01-27 15:30:52硅电容器简介
硅电容器和薄膜电容器是使用半导体器件制造中更常用的工具、方法和材料制造的特殊器件。因此，所提供的极高精度和控制能力可生产出具有卓越参数稳定性且近乎理想的电容器，但参数值范围相对有限，并且与最直接的竞争对手陶瓷器件相比，成本要高得多。
硅电容器热门型号更多
| 器件图 | 型号 | 制造商 | 封装 | 描述 | |
|---|---|---|---|---|---|
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93512542S710-T3A | - |
硅电容器 WirebondXtremSilicon Cap 1208 1uF BD 11V |
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| 935133426610-T3N | - |
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 0805 100nF BD 11V |
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| 935133427710-T3N | - |
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 1206 1uF BD 11V |
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93512542F610-T3A | - |
硅电容器 WirebondXtremSilicon Cap 0404 100nF BD11V |
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93512542H622-T3A | - |
硅电容器 WirebondXtremSilicon Cap 0505 220nF BD11V |
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| 935121427710-T3N | - |
硅电容器 LoProfile SiliconCap 1206 1uF BD 11V |
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| 93512142H622-T1A | - |
硅电容器 Emb'dSiliconCap 0505 220nF BD11V 100umThk |
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| 935121424347-T3N | - |
硅电容器 LoProfile SiliconCap 0402 470pF BD 11V |
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| 935121424310-T3N | - |
硅电容器 LoProfile SiliconCap 0402 100pF BD 11V |
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| 935131427710-T3N | - |
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 1206 1uF BD 11V |
