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  • 参考价格:RMB131.50-RMB138.50

更新日期:2024-04-01 00:04:00

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BUZ905DP 中文资料属性参数

  • 典型关断延迟时间:110 ns
  • 典型接通延迟时间:150 ns
  • 安装类型:通孔
  • 宽度:5mm
  • 封装类型:TO-3PBL
  • 尺寸:20 x 5 x 26mm
  • 引脚数目:3
  • 最大功率耗散:250 W
  • 最大栅源电压:±14 V
  • 最大漏源电压:-160 V
  • 最大连续漏极电流:-16 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:P
  • 配置:
  • 长度:20mm
  • 高度:26mm

BUZ905DP 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BUZ905DP

P-CHANNEL POWER MOSFET FOR AUDIO APPLICATIONS

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