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  • 参考价格:RMB132.50-RMB149.50

更新日期:2024-04-01

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BUZ900CDP 中文资料属性参数

  • 典型关断延迟时间:50 ns
  • 典型接通延迟时间:100 ns
  • 安装类型:通孔
  • 宽度:25mm
  • 封装类型:TO-3
  • 尺寸:39 x 25 x 8.7mm
  • 引脚数目:2
  • 最大功率耗散:125 W
  • 最大栅源电压:±14 V
  • 最大漏源电压:160 V
  • 最大连续漏极电流:16 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:
  • 长度:39mm
  • 高度:8.7mm

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9