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BUL147

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

BUL147

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

产品简介：Transistors Bipolar (BJT) 8A 400V 125W NPN

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BUL147 中文资料属性参数

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：9 V
  • 最大直流电集电极电流：8 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：10
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：14 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220-3
  • 封装：Tube
  • 集电极连续电流：8 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：125 W
  • 工厂包装数量：50

BUL147 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BUL147

POWER TRANSISTOR 8.0 AMPERES 700 VOLTS 45 and 125 WATTS

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