搜索
发布采购
更新日期：2024-04-01 00:04:00
BTS410E2. 中文资料属性参数
- 驱动芯片类型:：高压侧
- 输出电流 峰值:：1.8A
- 输出阻值:：0.19ohm
- 输入延迟:：125μs
- 输出延时:：85μs
- 电源电压范围:：4.7V 到 42V
- 封???类型:：TO-220AB
- 针脚数:：5
- 工作温度范围:：-40°C 到 +150°C
- SVHC(高度关注物质):：No SVHC (19-Dec-2011)
- 击穿电压, ESD:：1kV
- 功率, Pd:：50W
- 功耗:：75W
- 功耗, Pd:：75W
- 在电阻RDS（上）:：0.19ohm
- 封装类型:：TO-220
- 封装类型:：TO-220
- 总功率, Ptot:：50W
- 晶体管数:：1
- 晶体管极性:：?频道
- 晶体管类型:：金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
- 温度 @ 电流测量:：25°C
- 满功率温度:：25°C
- 电压, Vds 典型值:：42V
- 电压, Vds 最大:：42V
- 电流, Id 连续:：1.8A
- 电流上限:：1.8A
- 电源电压:：60V
- 短路电流限制, I scr:：5A
- 表面安装器件:：通孔安装
- 通态电阻, Rds on 最大:：220mohm