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BSZ165N04NSG

分离式半导体产品
  • 封装：8-TSDSON
  • 包装方式：剪切带 (CT)
  • 参考价格：$0.3931-$0.9900

更新日期：2024-04-01

BSZ165N04NSG

分离式半导体产品

产品简介：MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8

  • 封装：8-TSDSON
  • 包装方式：剪切带 (CT)
  • 参考价格：$0.3931-$0.9900

BSZ165N04NSG 供应商

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BSZ165N04NSG 中文资料属性参数

  • 数据列表：BSZ165N04NSG
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：16.5 毫欧 @ 20A, 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)：40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：31A
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 10µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 10V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)：840pF @ 20V
  • 功率 - 最大：25W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TSDSON
  • 供应商设备封装：PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
  • 包装：剪切带 (CT)
  • 其它名称：BSZ165N04NSGINCT

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