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BSS63LT1

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

BSS63LT1

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

产品简介：Transistors Bipolar (BJT) 100mA 110V PNP

BSS63LT1 供应商

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BSS63LT1 中文资料属性参数

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
  • 最大直流电集电极电流：0.1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：30 at 10 mA at 1 V
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：95 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-23-3
  • 封装：Reel
  • 集电极连续电流：- 0.1 A
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：225 W
  • 工厂包装数量：3000

BSS63LT1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BSS63LT1

General Purpose Transistors(PNP Silicon)

 2 Pages页,24K 查看
BSS63LT1

High Voltage Transistor(PNP Silicon)

 4 Pages页,24K 查看
BSS63LT1

High Voltage Transistor(PNP)

 4 Pages页,24K 查看
BSS63LT1G

BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:100V; Transition Frequency Typ, ft:50MHz; Power Dissipation, Pd:225mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain Max (hfe):30 ;RoHS Compliant: Yes

3页,112K 查看

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