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BSP171P

Infineon MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB3.73-RMB4.23

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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BSP171P

Infineon MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB3.73-RMB4.23

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BSP171P 中文资料属性参数

  • 典型关断延迟时间：208 ns
  • 典型接通延迟时间：6 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：13 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：365 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：3.5mm
  • 封装类型：SOT-223
  • 尺寸：6.5 x 3.5 x 1.6mm
  • 引脚数目：4
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：1800 mW
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：60 V
  • 最大漏源电阻值：0.3
  • 最大连续漏极电流：1.9 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：小信号
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：P
  • 配置：双漏极、单
  • 长度：6.5mm
  • 高度：1.6mm

BSP171P 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BSP171P

SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanche rated Logic Level dv/dt rated)

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