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BSM75GAR120DN2

IGBT 晶体管
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Transistors 1200V 100A GAR CH
  • 参考价格：￥399.10-￥472.72

更新日期：2024-04-01

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BSM75GAR120DN2

IGBT 晶体管

产品简介：IGBT 晶体管 1200V 100A GAR CH

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Transistors 1200V 100A GAR CH
  • 参考价格：￥399.10-￥472.72

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BSM75GAR120DN2 中文资料属性参数

  • 制造商：Infineon
  • 产品种类：IGBT 晶体管
  • 配置：Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
  • 集电极—射极饱和电压：2.5 V
  • 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
  • 在25 C的连续集电极电流：100 A
  • 栅极—射极漏泄电流：400 nA
  • 功率耗散：625 W
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装 / 箱体：IS4 (34 mm )-5
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 安装风格：Screw
  • 工厂包装数量：500

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