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BSM15GD120DN2E3224

IGBT 模块
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Modules N-CH 1.2KV 25A
  • 参考价格：￥297.94-￥331.06

更新日期：2024-04-01

BSM15GD120DN2E3224

IGBT 模块

产品简介：IGBT 模块 N-CH 1.2KV 25A

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Modules N-CH 1.2KV 25A
  • 参考价格：￥297.94-￥331.06

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BSM15GD120DN2E3224 中文资料属性参数

  • 制造商：Infineon
  • 产品：IGBT Silicon Modules
  • 配置：Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
  • 集电极—射极饱和电压：2.5 V
  • 在25 C的连续集电极电流：25 A
  • 栅极—射极漏泄电流：150 nA
  • 功率耗散：145 W
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装 / 箱体：EconoPACK 2
  • 封装：Reel
  • 栅极/发射极最大电压：20 V
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 安装风格：Screw

BSM15GD120DN2E3224 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BSM15GD120DN2E3224

IGBT Power Module

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