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BS870\E9
MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
BS870\E9
MOSFET产品简介：MOSFET USE 781-2N7002K
BS870\E9 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：60 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：250 mA
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：5 Ohms
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOT-23
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：200 S
- 功率耗散：8.3 mW
- 工厂包装数量：30000
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