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BPX 81-2/3

Phototransistors
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodetector Transistors PHOTOTRANSISTOR
  • 参考价格：￥4.83-￥4.84

更新日期：2024-04-01

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BPX 81-2/3

Phototransistors

产品简介：Phototransistors PHOTOTRANSISTOR

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodetector Transistors PHOTOTRANSISTOR
  • 参考价格：￥4.83-￥4.84

BPX 81-2/3 中文资料属性参数

  • 制造商：Osram Opto Semiconductor
  • 产品种类：Phototransistors
  • 最大功率耗散：90 mW
  • 最大暗电流：50 nA
  • 下降时间：5.5 us, 6 us
  • 最大工作温度：+ 80 C
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 上升时间：5.5 us, 6 us
  • 工厂包装数量：1000
  • 类型：Chip
  • 零件号别名：Q62702P3583

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