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BPX 43-4/5

Phototransistors
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodetector Transistors PHOTODIODE
  • 参考价格：￥15.11-￥8.90

更新日期：2024-04-01

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BPX 43-4/5

Phototransistors

产品简介：Phototransistors PHOTODIODE

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodetector Transistors PHOTODIODE
  • 参考价格：￥15.11-￥8.90

BPX 43-4/5 中文资料属性参数

  • 制造商：Osram Opto Semiconductor
  • 产品种类：Phototransistors
  • 最大功率耗散：220 mW
  • 最大暗电流：100 nA
  • 封装 / 箱体：TO-18
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
  • 集电极—射极饱和电压：240 mV
  • 下降时间：15 us, 18 us
  • 最大工作温度：+ 125 C
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 封装：Reel
  • 产品：Phototransistor
  • 上升时间：15 us, 18 us
  • 工厂包装数量：1000
  • 类型：Chip
  • 波长：950 nm
  • 零件号别名：Q62702P3582

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