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BPW85B

Phototransistors
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodetector Transistors NPN Phototransistor 70V 100mW 850nm
  • 参考价格：￥1.32-￥2.62

更新日期：2024-04-01

BPW85B

Phototransistors

产品简介：Phototransistors NPN Phototransistor 70V 100mW 850nm

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodetector Transistors NPN Phototransistor 70V 100mW 850nm
  • 参考价格：￥1.32-￥2.62

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BPW85B 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：Phototransistors
  • 最大功率耗散：100 mW
  • 最大暗电流：200 nA
  • 封装 / 箱体：T-1
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：70 V
  • 集电极—射极饱和电压：0.3 V
  • 最大工作温度：+ 100 C
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 封装：Bulk
  • 产品：Phototransistor
  • 工厂包装数量：5000
  • 类型：Chip
  • 波长：850 nm

BPW85B 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BPW85B

Silicon NPN Phototransistor

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