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BPW 34 B

光电二极管
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodiodes PHOTODIODE T/H
  • 参考价格：￥21.87-￥42.50

更新日期：2024-04-01

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BPW 34 B

光电二极管

产品简介：光电二极管 PHOTODIODE T/H

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodiodes PHOTODIODE T/H
  • 参考价格：￥21.87-￥42.50

BPW 34 B 中文资料属性参数

  • 制造商：Osram Opto Semiconductor
  • 产品种类：光电二极管
  • 产品：PIN Photodiodes
  • 反向电压：32 V
  • 最大暗电流：30 nA
  • 峰值波长：850 nm
  • 上升时间：25 ns
  • 下降时间：25 ns
  • 半强度角度：60 deg
  • 封装 / 箱体：DIL-2
  • 暗电流：2 nA
  • 最大工作温度：+ 85 C
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 噪声等效功率 - NEP：13E-14 W/sqrt Hz
  • 功率耗散：150 mW
  • 响应率：0.2 A/W
  • 工厂包装数量：250
  • 零件号别名：Q62702P0945

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