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更新日期：2024-04-01
产品简介：射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G10LS-160 /T3 中文资料属性参数
- 制造商：NXP
- 产品种类：射频MOSFET电源晶体管
- 配置：Single
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：65 V
- 漏极连续电流：39 A
- 闸/源击穿电压：13 V
- 最大工作温度：+ 150 C
- 封装 / 箱体：SOT502B
- 封装：Reel
- 最小工作温度：- 65 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 产品类型：MOSFET Power
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.07 Ohms
- 工厂包装数量：100
- 零件号别名：BLF6G10LS-160,118
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