您好,欢迎来到知芯网

更新日期:2024-04-01 00:04:00

暂无图片

产品简介:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS

BLF6G10-45 /T3 中文资料属性参数

  • 制造商:NXP
  • 产品种类:射频MOSFET电源晶体管
  • 配置:Single
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:65 V
  • 漏极连续电流:13 A
  • 闸/源击穿电压:- 0.5 V, 13 V
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 封装 / 箱体:CDFM
  • 封装:Reel
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 产品类型:MOSFET Power
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.2 Ohms
  • 工厂包装数量:300
  • 零件号别名:BLF6G10-45,135

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9