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BLF245
场效应管 - 射频更新日期：2024-04-01 00:04:00
BLF245
场效应管 - 射频BLF245 供应商
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BLF245 中文资料属性参数
- 晶体管类型:：RF MOSFET
- 电压, Vds 最大:：65V
- 电流, Id 连续:：6A
- 功耗, Pd:：68W
- 工作频率范围:：25MHz 到 175MHz
- 噪声:：2dB
- 封装类型:：SOT-123
- 针脚数:：4
- SVHC(高度关注物质):：No SVHC (18-Jun-2012)
- 功率, Pd:：68W
- 功耗:：68W
- 器件标号:：1
- 在电阻RDS（上）:：400mohm
- 封装类型:：SOT-123
- 封装类型:：SOT-123
- 应用代码:：RFPOWMOS
- 截止频率 ft, 典型值:：175MHz
- 晶体管数:：1
- 晶体管极性:：?频道
- 最大功耗:：68W
- 最小功率增益 Gp:：33dB
- 漏极电流, Id 最大值:：6A
- 电压 @ Rds测量:：10V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:：10V
- 电压, Vds 典型值:：65V
- 电压, Vgs 最高:：20V
- 电流, Idss 最大:：2mA
- 通态电阻, Rds on 最大:：750mohm
- 针脚格式:：D(1), S(2&4), G(3)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:：4.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:：2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:：4.5V