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更新日期:2024-04-01 00:04:00

BFR949F 中文资料属性参数

  • 晶体管极性::?频道
  • 电压, Vceo::10V
  • 功耗, Pd::250mW
  • 工作温度范围::-65°C 到 +150°C
  • 针脚数::3
  • SVHC(高度关注物质)::No SVHC (19-Dec-2011)
  • SMD标号::RKs
  • 关联增益 Ga::21dB
  • 噪声::1dB
  • 封装类型::TSFP
  • 封装类型::TSFP3
  • 总功率, Ptot::250W
  • 截止频率 ft, 典型值::9GHz
  • 晶体管数::1
  • 晶体管类型::小信号
  • 最大连续电流, Ic::35mA
  • 最小增益带宽 ft::7GHz
  • 测试频率::1GHz
  • 电压, Vcbo::20V
  • 电流, Ic hFE::5mA
  • 电流, Ic 最大::35mA
  • 直流电流增益 hfe, 最小值::100
  • 表面安装器件::表面安装
  • 集电极连续电流::35mA

BFR949F 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BFR949F

NPN Silicon RF Transistor

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