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  • 参考价格:RMB2.40-RMB2.74

更新日期:2024-04-01 00:04:00

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BFR35AP 供应商

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BFR35AP 中文资料属性参数

  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:1.3mm
  • 封装类型:SOT-23
  • 尺寸:1 x 2.9 x 1.3mm
  • 引脚数目:3
  • 晶体管类型:NPN
  • 最低工作温度:-65 °C
  • 最大功率耗散:280 mW
  • 最大发射极-基极电压:2.5 V
  • 最大直流集电极电流:0.045 A
  • 最大集电极-发射极电压:15 V
  • 最大集电极-基极电压:20 V
  • 最小直流电流增益:70 V
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 最高工作频率:5000 MHz
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:双极射频
  • 配置:
  • 长度:2.9mm
  • 高度:1mm

BFR35AP 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BFR35AP

NPN Silicon RF Transistor (For low distortion broadband amplifiers and oscillators up to 2GHz at collector currents from 0.5mA to 20mA)

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BFR35AP

NPN Silicon RF Transistor

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