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BF998
场效应管 - 射频- 参考价格：CNY 1.58-CNY 4.30
更新日期：2024-04-01
BF998
场效应管 - 射频- 参考价格：CNY 1.58-CNY 4.30
BF998 供应商
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BF998 中文资料属性参数
- 晶体管类型:：RF MOSFET
- 电压, Vds 最大:：12V
- 电流, Id 连续:：30mA
- 功耗, Pd:：200mW
- 噪声:：1dB
- 封装类型:：SOT-143
- 针脚数:：4
- SVHC(高度关注物质):：No SVHC (18-Jun-2012)
- 功率, Pd:：200mW
- 封装类型:：SOT-143
- 封装类型:：SOT-143
- 应用代码:：双门HFMOSFET
- 总功率, Ptot:：200mW
- 晶体管数:：1
- 晶体管极性:：?频道
- 最大功耗:：200mW
- 最小正向跨导 Gfs:：21mA/V
- 满功率温度:：25°C
- 电压, Vds 典型值:：12V
- 电流, Idss 最大:：18mA
- 电流, Idss 最小:：2mA
- 表面安装器件:：表面安装
BF998 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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 BF998
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Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs |
12 Pages页,250K | 查看 |
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BF998
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Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
6 Pages页,250K | 查看 |
|
BF998
|
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode |
9 Pages页,250K | 查看 |
|
BF998A
|
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode |
9 Pages页,156K | 查看 |
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BF998B
|
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode |
9 Pages页,156K | 查看 |
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BF998R
|
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (Short-channel transistor with high S/C quality factor) |
2 Pages页,250K | 查看 |
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BF998R
|
Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs |
12 Pages页,250K | 查看 |
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BF998R
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Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
6 Pages页,250K | 查看 |
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BF998R
|
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode |
9 Pages页,250K | 查看 |
|
BF998RA
|
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode |
9 Pages页,156K | 查看 |