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- 封装：TO-261-4，TO-261AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：*
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS NPN 250V 50MA SOT223
- 封装：TO-261-4，TO-261AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：*
BF722,115 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
NXP Semiconductors
-
SOT223
21+ -
5757
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
BF722,115 中文资料属性参数
- 特色产品：NXP - I2C Interface
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：250V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，30mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：10nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：50 @ 25mA，20V
- 功率 - 最大：1.2W
- 频率 - 转换：60MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：*
BF722,115 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 BF722,115
|
TRANS NPN 250V 0.05A SOT223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Power Dissipation Pd:1.2W; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:50; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:600mV; Current Ic Continuous a Max:30mA; Gain Bandwidth ft Typ:60MHz; Hfe Min:50; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:1.2W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power Bipolar |
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