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- 封装：TO-261-4，TO-261AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.06464-$0.101
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS SS PNP 300V 50MA SOT-223
- 封装：TO-261-4，TO-261AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.06464-$0.101
BF721T1G 供应商
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onsemi
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TO-225
21+ -
2000
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上海市
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一级代理原装
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ONS
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原厂原封装
新批号 -
887000
-
上海市
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-
-
原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
BF721T1G 中文资料属性参数
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：50mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：300V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：800mV @ 5mA，30mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：50 @ 25mA，20V
- 功率 - 最大：1.5W
- 频率 - 转换：60MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BF721T1G-NDBF721T1GOSTR
BF721T1G 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 BF721T1G
|
BIPOLAR TRANSISTOR; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-300V; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:-50mA; DC Current Gain hFE:60; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:50V; Current Ic Continuous a Max:-50mA; Gain Bandwidth ft Typ:60MHz; Hfe Min:50; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:1.5W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power Bipolar |
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