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更新日期:2024-04-01 00:04:00

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BF545B 中文资料属性参数

  • 晶体管类型::结型场效应晶体管(JFET)
  • 击穿电压::30V
  • 零栅极电压漏极电流范围 Idss::6mA 到 15mA
  • 电压, Vgs off 最大::7.5V
  • 功耗, Pd::250mW
  • 封装类型::SOT-23
  • 针脚数::3
  • SVHC(高度关注物质)::No SVHC (18-Jun-2012)
  • 关断电压, Vgs off 最低::-0.4V
  • 功耗::250mW
  • 封装类型::SOT-23
  • 总功率, Ptot::250mW
  • 晶体管极性::?频道
  • 栅极电流, Ig::10mA
  • 电压, Vds 最大::30V
  • 电流, Idss 最大::15mA
  • 电流, Idss 最小::6mA
  • 结温, Tj 最高::150°C
  • 表面安装器件::表面安装
  • 针脚配置::S(1), D(2), G(3)

BF545B 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BF545B

N-channel silicon junction field-effect transistors

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