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- 封装：TO-218-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.79063-$1.96
更新日期：2024-04-01
产品简介：TRANS DARL PNP 100V 10A TO218
- 封装：TO-218-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.79063-$1.96
BDV64BG 供应商
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onsemi
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TO-247
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151
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ORSEMI/安森美
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TO-247
22+ -
670663
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上海市
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原装可开发票
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ONS
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
BDV64BG 中文资料属性参数
- 标准包装：30
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：10A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 20mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大）：1mA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：1000 @ 5A，4V
- 功率 - 最大：125W
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-218-3
- 供应商设备封装：SOT-93
- 包装：管件
- 其它名称：BDV64BG-NDBDV64BGOS
BDV64BG 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 BDV64BG
|
DARLINGTON TRANSISTOR, SOT-93; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:125W; DC Collector Current:-10A; DC Current Gain hFE:1000; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-93; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Av Current Ic:12A; Collector Emitter Voltage Vces:-2V; Continuous Collector Current Ic Max:12A; Current Ic Continuous a Max:12A; Current Ic hFE:5A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Typ:100kHz; Hfe Min:1000; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-93; Power Dissipation Pd:125W; Power... |
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