- 封装:TO-225AA,TO-126-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$0.2291
更新日期:2024-04-01
产品简介:TRANS PNP EPITAX 45V 4A SOT32
- 封装:TO-225AA,TO-126-3
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BD438 中文资料属性参数
- 其它有关文件:BD438 View All Specifications
- 标准包装:50
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大):100µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 10mA,5V
- 功率 - 最大:36W
- 频率 - 转换:3MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
- 供应商设备封装:SOT-32
- 包装:管件
- 其它名称:BD438ST
BD438 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS |
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POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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TRANSISTOR, PNP, TO-126; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:36W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:3; Transistor Case Style:TO-126; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:-700mV; Continuous Collector Current Ic Max:4A; Current Ic Continuous a Max:4A; Current Ic hFE:2A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:3MHz; Gain Bandwidth ft Typ:3MHz; Hfe Min:40; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-126; Power Dissipation Pd:36W; Power Dissipation Ptot Max:36W; Termination Type:Through ... |
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