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  • 封装:TO-220-3
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:管件
  • 参考价格:$0.24408-$0.72

更新日期:2024-04-01

产品简介:TRANS PNP 100V 3A BIPO TO220AB

  • 封装:TO-220-3
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:管件
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BD242CG 供应商

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BD242CG 中文资料属性参数

  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 600mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大):300µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):25 @ 1A,4V
  • 功率 - 最大:40W
  • 频率 - 转换:3MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:BD242CG-NDBD242CGOS

BD242CG 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BD242CG

TRANSISTOR, PNP, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:25; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:SOT-78B; Collector Emitter Voltage Vces:-1.2V; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Ic Continuous a Max:3A; Current Ic hFE:1A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:3MHz; Gain Bandwidth ft Typ:3MHz; Hfe Min:25; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Di...

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