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更新日期:2024-04-01 00:04:00

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产品简介:Transistors Bipolar (BJT) 30W NPN Silicon

BD239E 中文资料属性参数

  • 制造商:Bourns
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:140 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
  • 最大直流电集电极电流:2 A
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 封装 / 箱体:TO-220
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:30000 mW
  • 工厂包装数量:50

BD239E 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BD239E

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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