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BCW68HTA
晶体管(BJT) - 单路- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.0475-$0.076
更新日期：2024-04-01 00:04:00
BCW68HTA
晶体管(BJT) - 单路产品简介：TRANSISTOR PNP -45V SOT23-3
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.0475-$0.076
BCW68HTA 供应商
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- 说明
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-
Diodes
-
原厂原封装
新批号 -
887000
-
上海市
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-
-
原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
BCW68HTA 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：800mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：45V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 10mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：20nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：250 @ 100mA，1V
- 功率 - 最大：330mW
- 频率 - 转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BCW68HTRDH
BCW68HTA 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 BCW68HTA
|
TRANSISTOR, PNP, 45V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:330mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:350; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:2V; Continuous Collector Current Ic Max:800mA; Current Ib:100mA; Current Ic Continuous a Max:500mA; Current Ic hFE:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:330mW; Power Dissipation Ptot Max:330mW; Termination Type:SMD; Tra... |
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